| Autor |
Thema: Germanium-Prozessoren |
Felix
DoppelMod
ID # 3
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 Erstellt am 07. Dezember 2005 18:25 (#1) |
  
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| Zitat von Planet3dnow: |
Wie AMD heute bekannt gegeben hat werden die neuen Prozessoren in 65 nm Strukturen wahre Leckerbissen der Chipfertigung. Es war seit langem angekündigt worden noch Ende 2006 erste 65 nm Prozessoren zu fertigen (wir berichteten). Dafür hat AMD eigens eine neue Chipschmiede in Dresden errichtet, die Fab 36.
Heute hat AMD erste Details zu den neuen 65 nm Prozessoren veröffentlicht, genau genommen erste Früchte der Kooperation mit IBM, über die wir bereits mehrfach berichteten. Nach neuesten Informationen plant AMD dank der IBM-Kooperation die 65 nm Prozessoren nicht in herkömmlicher SOI-Technologie zu produzieren, sondern unter Verwendung von Germanium. An "Germanium-Prozessoren" wird schon seit Jahren intensiv geforscht, der rechte Durchbruch ist bisher aber nicht gelungen. Nun sollen es IBM und AMD allerdings nach eigenen Angaben geschafft haben, embedded Silicon Germanium (e-SiGe) mit Dual Stress Liner (DSL; aka Strained Silicon) und Stress Memorization technology (SMT) auf SOI-Wafern zu kombinieren. Als Folge davon soll die Transistor-Leistung um bis zu 40 Prozent steigen, was höher getaktete Prozessoren bei niedriger Verlustleistung ermöglicht.
Mit der Verwendung von kleineren Strukturen (hier: 65 nm statt 90 nm) wollen die CPU-Hersteller drei Fliegen mit einer Klappe schlagen: zum einen werden die CPU-Kerne kleiner. Aus einem Wafer kann man also wesentlich mehr Kerne schneiden, was die Produktionskosten je CPU senkt. Zum Zweiten erlauben kleinere Strukturen die Unterbringung von zusätzlichen Transistoren ohne die Die-Fläche auf unwirtschaftliche Größen wachsen zu lassen. So könnte damit zum Beispiel der Cache vergrößert oder zusätzliche Funktionseinheiten integriert werden bis hin zu einem Quad-Core Prozessor. Als dritter Pluspunkt für die Migration zu 65 nm steht theoretisch der niedrigere Stromverbrauch auf der Liste, wobei man hier mit einer Pauschalisierung vorsichtig sein muss. Bereits bei der Reduktion von 130 nm auf 90 nm musste Intel mit dem Prescott-Kern am eigenen Leib erfahren, dass kleinere Strukturen nicht automatisch niedrigeren Stromverbrauch und weniger Hitze bedeuten (wir berichteten). AMD versucht hier die Leckstrom-Problematik mit SOI und Germanium auch für den 65 nm Prozess in den Griff zu bekommen.
Ob der neue Germanium-Prozess den ursprünglichen Zeitplan (Ende 2006) gefährdet, war nicht zu erfahren. Die Fab 36 soll jedenfalls demnächst mit der Fertigung der Vorabwafer beginnen.
Danke rkinet für den Hinweis |
Tja .... Dann hat AMD doch etwas in der Hand gegen den P3.  |
| Beiträge: 6920 | Mitglied seit: November 2002 | IP-Adresse: gespeichert |
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